受託開発・加工サービス

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各種ワークの表面からエッジまで、お客様の目的に合わせた形状・面精度到達に向けた受託開発・加工を承ります

受託開発・加工サービス
特長
  • 小ロット試作~量産対応、消耗品・研磨装置・プロセス・技術提供等、お客様のニーズに合わせて対応
  • 専門のプロセス技術開発担当により、開発からの対応可能
  • 評価設備も充実、加工前後の品質確認や評価も対応
  • チタンやSiC等難削材の鏡面加工も対応可能

■受託加工対象品

素材 加工対象 加工内容 対応サイズ
  • 各種半導体用基板
    Si、SiC、GaN、GaAs、サファイア、 LiTaO3、
    LiNbO3、SiN、AlNSiN、 各種複合材料、etc.)
  • 太陽電池用基板
  • 各種金属基板
    Cu、Al、SUS、Ti、Au、Ag、W、etc..)
  • 各種ガラス基板
    (石英、パイレックスガラス、強化ガラス、
    ソーダガラス、etc..)
  • 各種樹脂基板
  • エッジ
    (ベベル・ノッチ・オリフラ)
  • ベベリング
  • トリミング
  • ポリッシュ
Φ2インチ~300mm
  • 表裏面
  • ラップ
  • ポリッシュ
~Φ4インチ
~□300mm
  • 各種円筒材(Al、SUS、各種合金、ゴム、
    樹脂素材、DLC膜、Cr膜、etc..)
  • 表面
  • ラップ
  • ポリッシュ
直径~150mm、
長さ~450mm
  • 各種フープ材(ロール to ロール)
  • 表面
  • ラップ
  • ポリッシュ
別途ご相談
  • 各種ワークの測定・分析・解析
  • 表面・エッジ
  • 測定
別途ご相談

■受託加工例

SiN基板 焼結SiC基板
加工前 加工後 加工前 加工後
Ra=1156.7Å Ra=4.0Å Ra=1242.9Å Ra=3.9Å
アルミナ基板 AlN基板
加工前 加工後 加工前 加工後
Ra=7.7Å Ra=3.2Å Ra=128.5Å Ra=18.6Å
単結晶SiC基板 Cu膜表面研磨
加工前 加工後 加工前 加工後
Ra=41.4Å Ra=2.4Å Ra=106.9Å Ra=16.7Å
GaN基板面取り加工 ガラス基板面取り加工
加工前 加工後 加工前 加工後
結晶異常Siウェーハ面取り加工 SiCウェーハ面取り加工
加工前 加工後 加工前 加工後

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